Ir-referenzi normattivi li applikaw minn Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co fil-produzzjoni tad-dijodu tal-iwweldjar kienu dawn li ġejjin:
1. GB/T 4023—1997 Apparat Diskreti Ta' Apparati Semikondutturi U Ċirkwiti Integrati Parti 2: Diodes Rectifier
2. Metodi ta 'test mekkaniċi u klimatiċi GB/T 4937—1995 għal apparati semikondutturi
3. JB/T 2423—1999 Apparat Semikonduttur tal-Enerġija - Metodu tal-Immudellar
4. JB/T 4277—1996 Ippakkjar tal-Apparat Semikonduttur tal-Enerġija
5. JB/T 7624—1994 Rectifier Diode Test Method
Mudell U Daqs
1. Isem tal-mudell: Il-mudell tad-dijodu tal-iwweldjar jirreferi għar-regolamenti ta 'JB/T 2423-1999, u t-tifsira ta' kull parti tal-mudell tidher fil-Figura 1 hawn taħt:
2. Simboli grafiċi u (sub)identifikazzjoni terminali
Is-simboli grafiċi u l-identifikazzjoni tat-terminal huma murija fil-Figura 2, il-vleġġa tipponta lejn it-terminal tal-katodu.
3. Forma u dimensjonijiet ta 'installazzjoni
Il-forma tad-dijowd iwweldjat hija tip konvessa u diska, u l-forma bid-daqs għandha tissodisfa r-rekwiżiti tal-Figura 3 u t-Tabella 1.
| Oġġett | Dimensjoni (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Flanġ tal-katodu (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Katodu u anodu Mesa (D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0.2 |
| Dijametru massimu taċ-ċirku taċ-ċeramika (D2max) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Ħxuna totali (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Toqba tal-pożizzjoni tal-muntaġġ | Dijametru tat-toqba: φ3.5±0.2mm, Fond tat-toqba: 1.5±0.3mm | ||
Klassifikazzjonijiet u karatteristiċi
1. Livell tal-parametru
Is-serje ta 'vultaġġ massimu ripetittiv invers (VRRM) hija kif speċifikat fit-Tabella 2
Tabella 2 Livell tal-Vultaġġ
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Livell | 02 | 04 |
2. Valuri ta' limitu
Il-valuri ta' limitu għandhom jikkonformaw mat-Tabella 3 u japplikaw għall-firxa kollha tat-temperatura operattiva.
Tabella 3 Valur ta' Limitu
| Valur ta' Limitu | Simbolu | Unità | Valur | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Temperatura tal-każ | Tcase | ℃ | -40~85 | |||
| Temperatura tal-junction ekwivalenti (mass) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Temperatura tal-ħażna | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
| Vultaġġ b'lura tal-ogħla livell ripetittiv (massimu) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| L-ogħla vultaġġ invers mhux ripetittiv (mass | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Kurrent medju 'l quddiem (massimu) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Kurrent f'daqqa 'l quddiem (mhux ripetittiv) (massimu) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (massimu) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Forza tal-immuntar | F | kN | 22～24 | 30~35 | 45~50 | 52～57 |
3. Valuri karatteristiċi
Tabella 4 Valuri karatteristiċi massimi
| Karattru u kundizzjoni | Simbolu | Unità | Valur | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| L-ogħla vultaġġ 'il quddiemIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| L-ogħla kurrent ripetittiv b'luraTj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Reżistenza termali Junction-to-case | Rjc | ℃/ W | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
| Nota: għal rekwiżit speċjali jekk jogħġbok ikkonsulta | ||||||
Il-dajowd tal-weldingprodott minn Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor huwa applikat b'mod wiesa 'f'welder tar-reżistenza, magna tal-iwweldjar ta' frekwenza medja u għolja sa 2000Hz jew aktar.B'ogħla vultaġġ 'il quddiem ultra-baxx, reżistenza termali ultra-baxxa, teknoloġija ta' manifattura ta 'stat avvanzat, kapaċità ta' sostituzzjoni eċċellenti u prestazzjoni stabbli għal utenti globali, id-dijodu tal-iwweldjar minn Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor huwa wieħed mill-aktar apparat affidabbli tal-qawwa taċ-Ċina prodotti semikondutturi.
Ħin tal-post: Ġunju-14-2023