Press-Pack IGBT
Press-pack IGBT (IEGT)
| TIP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
Nota:D- ma dparti tal-jodu, A-mingħajr parti dajowd
B'mod konvenzjonali, il-moduli IGBT ta 'kuntatt tal-istann ġew applikati fl-iswiċċ tas-sistema ta' trasmissjoni DC flessibbli.Il-pakkett tal-modulu huwa dissipazzjoni tas-sħana fuq naħa waħda.Il-kapaċità tal-qawwa tal-apparat hija limitata u mhux xierqa biex tkun imqabbda f'serje, ħajja fqira fl-arja mielaħ, vibrazzjoni fqira kontra x-xokk jew għeja termali.
It-tip ġdid ta 'press-contact ta' qawwa għolja press-pack IGBT apparat mhux biss issolvi kompletament il-problemi ta 'vakanza fil-proċess ta' issaldjar, għeja termali ta 'materjal ta' issaldjar u effiċjenza baxxa ta 'dissipazzjoni tas-sħana fuq naħa waħda iżda wkoll telimina r-reżistenza termali bejn diversi komponenti, jimminimizzaw id-daqs u l-piż.U ttejjeb b'mod sinifikanti l-effiċjenza tax-xogħol u l-affidabbiltà tal-apparat IGBT.Huwa pjuttost adattat biex jissodisfa r-rekwiżiti ta 'qawwa għolja, ta' vultaġġ għoli u ta 'affidabilità għolja tas-sistema ta' trasmissjoni DC flessibbli.
Is-sostituzzjoni tat-tip ta 'kuntatt tal-istann minn IGBT press-pack hija imperattiva.
Mill-2010, Runau Electronics ġiet elaborata biex tiżviluppa apparat IGBT tat-tip press-pack ġdid u tirnexxi l-produzzjoni fl-2013. Il-prestazzjoni ġiet iċċertifikata minn kwalifika nazzjonali u tlestiet il-kisba avvanzata.
Issa nistgħu manifattura u nipprovdu serje press-pack IGBT ta 'firxa IC f'600A sa 3000A u firxa VCES f'1700V sa 6500V.Prospett mill-isbaħ ta 'IGBT press-pack magħmul fiċ-Ċina biex jiġi applikat fiċ-Ċina sistema ta' trasmissjoni DC flessibbli huwa mistenni ħafna u se jsir ġebel ieħor mile ta 'klassi dinjija tal-industrija tal-elettronika tal-enerġija taċ-Ċina wara ferrovija elettrika b'veloċità għolja.
Introduzzjoni qasira tal-Modalità Tipika:
1. Modalità: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Karatteristiċi elettriċi wara l-ippakkjar u l-ippressar
● Reverseparallelkonnessidajowd ta 'rkupru mgħaġġelikkonkluda
● Parametru:
Valur nominali (25 ℃)
a.Vultaġġ Emettitur tal-Kollezzjonir: VGES = 1700 (V)
b.Vultaġġ tal-Emittent Gate: VCES=±20（V）
c.Kurrent tal-Kollezzjoni: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Dissipazzjoni tal-Enerġija tal-Kollezzjoni: PC=4440（W）
e.Temperatura tal-junction tax-xogħol: Tj=－20~125℃
f.Temperatura tal-Ħażna: Tstg=－40~125℃
Innutat: l-apparat se jkun bil-ħsara jekk lil hinn mill-valur nominali
ElettrikuCkaratteristiċi, TC＝125℃，Rth (reżistenza termali ta 'junction biexkaż）mhux inklużi
a.Kurrent tat-tnixxija tal-bieb: IGES=±5（μA）
b.Kollettur Emittent Imblukkar Kurrent ICES=250 (mA)
c.Kollettur Emittent Saturazzjoni Vultaġġ: VCE(sat)=6(V)
d.Vultaġġ ta' Limitu ta' Emettitur tal-Bieb: VGE(th)=10(V)
e.Ixgħel il-ħin: Ton = 2.5μs
f.Itfi ħin: Toff=3μs
2. Modalità: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Karatteristiċi elettriċi wara l-ippakkjar u l-ippressar
● Reverseparallelkonnessidajowd ta 'rkupru mgħaġġelikkonkluda
● Parametru:
Valur nominali (25 ℃)
a.Vultaġġ Emettitur tal-Kollezzjoni: VGES = 2500 (V)
b.Vultaġġ tal-Emittent Gate: VCES=±20（V）
c.Kurrent tal-Kollezzjoni: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Dissipazzjoni tal-Enerġija tal-Kollezzjoni: PC = 4800（W）
e.Temperatura tal-junction tax-xogħol: Tj=－40~125℃
f.Temperatura tal-Ħażna: Tstg=－40~125℃
Innutat: l-apparat se jkun bil-ħsara jekk lil hinn mill-valur nominali
ElettrikuCkaratteristiċi, TC＝125℃，Rth (reżistenza termali ta 'junction biexkaż）mhux inklużi
a.Kurrent tat-tnixxija tal-bieb: IGES=±15（μA）
b.Kollettur Emettitur Imblukkar Kurrent ICES=25 (mA)
c.Kollettur Emittent Saturazzjoni Vultaġġ: VCE(sat)=3.2 (V)
d.Vultaġġ ta' Limitu ta' Emettitur tal-Bieb: VGE(th)=6.3(V)
e.Ixgħel il-ħin: Ton = 3.2μs
f.Itfi ħin: Toff=9.8μs
g.Diode Vultaġġ 'il quddiem: VF=3.2 V
h.Ħin ta 'rkupru tad-dijodu b'lura: Trr=1.0 μs
3. Modalità: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Karatteristiċi elettriċi wara l-ippakkjar u l-ippressar
● Reverseparallelkonnessidajowd ta 'rkupru mgħaġġelikkonkluda
● Parametru:
Valur nominali (25 ℃)
a.Vultaġġ Emettitur tal-Kollezzjoni: VGES = 4500 (V)
b.Vultaġġ tal-Emittent Gate: VCES=±20（V）
c.Kurrent tal-Kollezzjoni: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Dissipazzjoni tal-Qawwa tal-Kollezzjoni: PC=7700（W）
e.Temperatura tal-junction tax-xogħol: Tj=－40~125℃
f.Temperatura tal-Ħażna: Tstg=－40~125℃
Innutat: l-apparat se jkun bil-ħsara jekk lil hinn mill-valur nominali
ElettrikuCkaratteristiċi, TC＝125℃，Rth (reżistenza termali ta 'junction biexkaż）mhux inklużi
a.Kurrent tat-tnixxija tal-bieb: IGES=±15（μA）
b.Kollettur Emittent Imblukkar Kurrent ICES=50 (mA)
c.Kollettur Emittent Saturazzjoni Vultaġġ: VCE(sat)=3.9 (V)
d.Vultaġġ ta' Limitu ta' Emettitur tal-Bieb: VGE(th)=5.2 (V)
e.Ixgħel il-ħin: Ton = 5.5μs
f.Itfi ħin: Toff=5.5μs
g.Diode Vultaġġ 'il quddiem: VF=3.8 V
h.Ħin ta 'rkupru tad-dijodu b'lura: Trr=2.0 μs
Nota:Press-pack IGBT huwa vantaġġ f'affidabilità mekkanika għolja fit-tul, reżistenza għolja għall-ħsara u l-karatteristiċi tal-istruttura tal-konnessjoni tal-istampa, huwa konvenjenti li jiġi impjegat f'apparat ta 'serje, u meta mqabbel mat-tiristori GTO tradizzjonali, IGBT huwa metodu ta' vultaġġ ta 'sewqan .Għalhekk, huwa faċli biex topera, firxa operattiva sikura u wiesgħa.